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全球IGBT前五強(qiáng)出爐,英飛凌一家獨(dú)大

   2019-03-26 光伏領(lǐng)跑者創(chuàng)新論壇32970
核心提示:根據(jù)IHS最近發(fā)布的2017年全球功率半導(dǎo)體市場份額報(bào)告,全年全球功率半導(dǎo)體市場體量是185億美金,同比增長13.1%,達(dá)到自2010年以
根據(jù)IHS最近發(fā)布的2017年全球功率半導(dǎo)體市場份額報(bào)告,全年全球功率半導(dǎo)體市場體量是185億美金,同比增長13.1%,達(dá)到自2010年以來的最大值,這主要來源于全球半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇,特別是中國市場的快速崛起。另外,英飛凌一家獨(dú)大,這主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面。一是,占據(jù)18.6%的份額,達(dá)到33.41億美金(約是第二名的兩倍),同比增長16.8%。二是,在細(xì)分的功率MOSFET、IGBT分立器件、標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊市場份額均全球第一。


下面我們來看一看排名前五的公司都有哪些?(數(shù)據(jù)來源于HIS)

分立IGBT器件領(lǐng)域的前五強(qiáng)占據(jù)全球該領(lǐng)域約70%的市場份額,它們分別是英飛凌(Infineon,德國)、安森美(On Semiconductor,美國)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,意法)、三菱(Mitsubishi,日本)和東芝(Toshiba,日本)。其中英飛凌獨(dú)占38.5%的銷售額,比排名第二至第四的總和還要高出約7個(gè)百分點(diǎn),彰顯了英飛凌在此領(lǐng)域的絕對(duì)控制權(quán)。


標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊領(lǐng)域的前五強(qiáng)占據(jù)全球此領(lǐng)域約77%的市場份額,它們分別是英飛凌、三菱、安森美、東芝和意法半導(dǎo)體。除排名第一的仍然是英飛凌外,排名第二至第四的廠商雖然與分立器件相同,但名次卻完全不同。在模塊領(lǐng)域三菱的表現(xiàn)更為顯眼,排名第二。在標(biāo)準(zhǔn)模塊領(lǐng)域英飛凌的市場份約是33.9%,僅比第二名高出約7個(gè)百分點(diǎn),在此領(lǐng)域的控制權(quán)遠(yuǎn)遠(yuǎn)弱于IGBT分立器件。


數(shù)據(jù)來源:

IHS和英飛凌年報(bào)

IGBT人 
 
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