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三菱電機推出新型IGBT模塊

   2022-07-04 世紀(jì)新能源網(wǎng)翻譯ghereer29970
核心提示:近日,日本三菱電機推出了一款用于大規(guī)模光伏裝置的新型IGBT模塊——2.0kV LV100。該公司聲稱,該設(shè)備有助于減少并網(wǎng)光伏裝置所需的逆變器數(shù)量,能夠提供高電壓運行和低功率損耗。它以該公司最新的IGBT技術(shù)和RFC二極管為基礎(chǔ),為需要DC1.5-3.3kV之間的“中間

近日,日本三菱電機推出了一款用于大規(guī)模光伏裝置的新型IGBT模塊——2.0kV LV100。該公司聲稱,該設(shè)備有助于減少并網(wǎng)光伏裝置所需的逆變器數(shù)量,能夠提供高電壓運行和低功率損耗。它以該公司最新的IGBT技術(shù)和RFC二極管為基礎(chǔ),為需要DC1.5-3.3kV之間的“中間接地”功率轉(zhuǎn)換器的工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。

美國三菱電機公司電力設(shè)備高級產(chǎn)品經(jīng)理亞當(dāng)·法爾西克(Adam Falsik)表示,“越來越多使用可再能源的電網(wǎng)需要進行高壓功率轉(zhuǎn)換工作。該新型工業(yè)LV100的2.0kV額定耐受電壓能夠應(yīng)用于光伏領(lǐng)域,簡化DC1500V功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,正適用于那些傳統(tǒng)1.7kV額定IGBT模塊不足以支持的大容量系統(tǒng),尤其是那些利用可再生能源的電源之中?!痹摴颈硎荆麄兊腖V100可以降低光伏設(shè)備的總功耗,能夠更有效地將太陽能和儲能轉(zhuǎn)換成電能。

IGBT模塊以硅材料和MOS結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),具有與MOSFET類似的架構(gòu),二者都受電壓控制,能夠用來開關(guān)各種電子設(shè)備和放大電子信號。但不同的是前者還具備雙極晶體管的輸出開關(guān)和傳導(dǎo)特性,適用于雙極晶體管和MOSFET不適用的逆變器、變流器和電源之中。

由于造價太高,該新型IGBT模塊還無法量產(chǎn)和大規(guī)模投入使用。對此,三菱電機表示,“LV100的大規(guī)模生產(chǎn)將于2023年初開始?!弊屛覀兪媚恳源?。


 
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