鉬通常用在CIGS太陽能電池中作為背觸材料，近來濺射靶生產商Plansee同TU Bergakademie Freiberg合作開展以此為主題的深入研究。Plansee的研究成果在ICMCTF Conference上公布，得出了鉬薄膜中對導電性有決定性影響的流程錯誤和缺陷類型。濺射過程中出現雜質和不正確的流程溫度據稱是影響材料導電性的主要因素。

鐵、鎳和鉻等雜質如果含量過高，可能會導致薄膜導電性降低40%以上。要抵消這種影響可以提高CIGS生產過程中濺射靶的純度。如果鉬晶格中出現錯位或缺陷，也可能會在很大程度上影響鉬薄膜的導電性。

盡管錯位有助于金屬的和易性，但會將導電性降低14%之多。Plansee和TU Bergakademie Freiberg在這方面的研究發(fā)現顯示出這種影響可以通過達150°C度的流程溫度而非以往的室溫來降低一半。

通過如此高的溫度便可降低聚集在晶格上的填隙式雜質(通常由氮、氧和氬等組成)的影響。

因為這可能會將薄膜的導電性降低12%。溫度達150°C時，小原子的活性足以沖破鉬晶格的束縛。鉬材料的測試通過在鈉鈣玻璃上涂覆薄膜來實施，從而得以使薄層釋放出基本特性，測量出薄膜的電阻并通過Transmission Electron Microscopy (TEM)和X射線衍射(GAXRD)分析薄膜的微結構。研究組由TU Bergakademie Freiberg材料科學研究院的教授David Rafaja和Plansee的薄膜材料開發(fā)人員Harald Köstenbauer領導。