近年全球業(yè)者競相投入主流結(jié)晶硅太陽能的同時，硅薄膜太陽能因多晶硅缺料問題，一度吸引不少目光，而First Solar在碲化鎘(CdTe)太陽能技術(shù)獨大，讓后進者望其項背。許多新進業(yè)者在評估以其它技術(shù)切入太陽能市場的可能下，同樣具有低生產(chǎn)成本與高轉(zhuǎn)換效率潛力的銅銦鎵硒(CIGS)太陽能技術(shù)，逐漸受到關(guān)注。

CIGS太陽能技術(shù)處于研發(fā)階段，是薄膜太陽能中少數(shù)尚未有主流制程出現(xiàn)的太陽能技術(shù)。CIGS為I-III-VI族化合物，由銅(Cu)、銦(In)、鎵(Ga)與硒(Se)等4元素組成，須在特定溫度與特定組成下，才可形成適用于太陽能材料的半導體，且應(yīng)用在太陽能量產(chǎn)技術(shù)的困難度較高，因此雖有各種不同制程路線被提出，但各種制程也有其缺陷，加上過去對CIGS半導體材料的研究并未如硅材料透徹，使CIGS太陽能技術(shù)帶有部分謎樣色彩。

一般而言，CIGS依吸收層制程技術(shù)可分真空制程與非真空制程兩大類，真空制程又以共蒸鍍(co-evaporation)與濺鍍(sputtering) 2種方式最常被應(yīng)用，非真空制程的量產(chǎn)技術(shù)具有低設(shè)備成本的優(yōu)勢，部分業(yè)者亦從電鍍與奈米印刷方面研究量產(chǎn)的可能。